/nginx/o/2013/08/06/1944262t1hd15b.jpg)
Toshiba plaanib koos Sandiskiga investeerida 4 miljardit dollarit uude Jaapanis Yokkaichis asuvasse välkmälukiipide tehasesse, vahendab Reuters Nikkei uudist.
Toshiba plaanib koos Sandiskiga investeerida 4 miljardit dollarit uude Jaapanis Yokkaichis asuvasse välkmälukiipide tehasesse, vahendab Reuters Nikkei uudist.
Toshiba plaanib uues tehases hakata tootma 16-17 nanomeetriseid kiipe, lootes ühest räni toorikkristallist toota konkurentidest nagu Samsung rohkem kiipe. Praeguses tootmiskompleksis on ühe kiibi laiuseks 19 nanomeetrit.
Uus tehas peaks tööd alustama järgmisel finantsaastal ning suurendama kogu kompleksi tootmismahtusid umbes 20 protsenti.
Toshiba ja Sandisk on varasemalt loonud NAND-tüüpi välkmälu tootmiseks ühisettevõtte ning on lubanud tehasesse investeerida võrdselt kaks miljardit dollarit.